COMPONENTE CURRICULAR

Componente Curricular
FIS553 - SEMICONDUTORES
Carga Horária - Total: 68 horas
Teórica	Prática	Estágio	Departamento	Semestre Vigente
68	0	0	Física Geral	2004.1
Ementa
Bandas de Energia. Propriedades de Transporte em Semicondutores; Propriedades Ópticas - Transições Ópticas (absorção, transmissão, etc.); Heteroestruturas; Funções Dielétricas; Estados Eletrônicos em Cristais; Efeitos de Muitos Corpos em Semicondutores tipo p e n; Efeitos de Impurezas. Transição metal-isolante.
Programa
Objetivo
Não há Objetivo cadastrado
Conteúdo
Bandas de energia. Propriedades de Transporte em Semicondutores; Propriedades Ópticas.Transições ópticas (absorção, transmissão, etc.) Heteroestruturas; funções dielétricas; estados eletrônicos em cristais; efeitos de muitos corpos em Semicondutores tipo p e n; efeitos de impurezas. Transição metal-isolante.
Bibliografia
WOLFE, C.M.;HOLONYAK Jr.,N. STILLMAN, G.E. Physical Properties of Semiconductors. New Jersey: Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1989. /////// SEEGER, K. Semiconductor Physics, An Introduction. Sixth Edition, Springer, 1997. /////// PANKOVE,J.L. OpticalProcess in Semiconductors. New York: Dover Publications, Inc,1971. /////// PERSSON, C. and FERREIRA da Silva, A. Eletronics Properties of Intrinsic and Heavily Doped 3C-,nH-SiC (n=2,4,6) and III-N ( III= B,AI, Ga, In), Optoeletronic Devices: III-Nitrides. England: Editors M. Razeghi and M. Henini. Edited by Elsevier Advanced Technology, 2004.

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